1500V 高壓 MOS 分立器件 ◆導通電阻低; ◆開關速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆導) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通態壓降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆低飽和壓降,導通損耗??; ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度系數,適合并聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗??; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆關速度快,關損耗小 ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度系數,適合并聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗??; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
應用方案
應用筆記
行業信息
直擊 CIAS 2023 | 宏微科技榮獲… 5月30日-31日,以“強芯穩鏈 國產化5.0”為主題,CIAS 2023 … 2023-06-02 了解更多
全國硅基和寬禁帶半導體材料與器件… 2023年5月27日,以“夯實功率半導體基石,助力新能源之都建設” … 2023-06-01 了解更多
直擊展會現場|宏微科技亮相PCIM… PCIM Europe 2023展會于德國當地時間5月9-11日在德國紐倫堡… 2023-05-15 了解更多